KDS溫補晶振,DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA晶振
頻率范圍12.288MHZ52.000MHZ
電源電壓:1.8V
輸出負(fù)載: 10PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±0.5ppm
輸出方式：CMOS
尺寸：世界級小型2.0*1.6*0.63mm
應(yīng)用：移動通信設(shè)備,無線模塊,汽車電子,精密儀器,程控交換設(shè)備,北斗+GPS導(dǎo)航定位系統(tǒng),輪船機(jī)器控制設(shè)備等產(chǎn)品.


       KDS晶振性能穩(wěn)定,精度高,體積小,在惡劣環(huán)境也能正常工作,TCXO溫補晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作. KDS石英晶振具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.
       KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗.
產(chǎn)品說明:
       KDS溫補晶振,DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA晶振,這款溫度補償型石英晶振,是KDS株式會社研發(fā)量產(chǎn)的最小的一款溫補晶振,封裝尺寸2.0*1.6*0.63mm,比一枚1元硬幣的高度還要小,應(yīng)用在電子產(chǎn)品中可以縮小很多空間,使被應(yīng)用的產(chǎn)品達(dá)到小巧,便捷式的現(xiàn)代理念,DSB211SDN晶振通常都是被用在高端高要求產(chǎn)品身上,因為這款晶振的穩(wěn)定性比較好,精度最高可以達(dá)到±0.5ppm,受到廣大用戶群體的信賴.
產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)圖:

KDS溫補晶振	標(biāo)示	DSB211SDN晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	26.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V
輸出電流	Icc	1.5 mA max.	Vcc=1.8V
出力負(fù)載	L_CMOS	10pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±0.5ppm	初期偏差、 周波數(shù)溫度特性、 電源、負(fù)荷変動特性、 経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=10pF

產(chǎn)品尺寸圖:

產(chǎn)品注意事項:
抗沖擊
石英晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致KDS溫補晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
產(chǎn)品工作條件:
輸出波形與測試電路
1.時序表