上海DMP305X-DST單晶硅差壓變送器

【簡(jiǎn)介】

　　隨著微電子機(jī)械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來(lái)一場(chǎng)新的革命，對(duì)于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定最終產(chǎn)品的性能與等級(jí)。以目前國(guó)際市場(chǎng)上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言，硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術(shù)加工工藝復(fù)雜過(guò)壓特性不好；DMP305X系列單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場(chǎng)上通用的復(fù)合硅、芯片采用德國(guó)領(lǐng)先的單晶硅技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點(diǎn)，并從設(shè)計(jì)與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過(guò)壓等優(yōu)異性能，完全適用于工業(yè)過(guò)程控制、自動(dòng)化制造。

　　LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。

【主要參數(shù)】

壓力類型：差壓

量程范圍：200Pa-10MPa

輸出信號(hào)：4-20mA、4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

參考精度：±0.075%量程上限，可選±0.05%量程上限

測(cè)量介質(zhì)：與接觸材質(zhì)相兼容的流體

應(yīng)用場(chǎng)合：壓力、液位、差壓、密度、界面、流量

認(rèn)證：CE，CPA，NEPSI，RoHS

【參數(shù)&尺寸】