產(chǎn)品描述

上海伯東日本原裝進(jìn)口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C. 無論使用什么材料都可以用來加工.

蝕刻均勻性: ±5%, 硅片 Si 刻蝕速率 ≥ 20 nm/min, 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~±90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等加工形狀.

• Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品優(yōu)勢：

  
  

  Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 主要優(yōu)點(diǎn):

  1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.

  2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.

  3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源

  4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

  5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.

  6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.

  7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.

• Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)：

  Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù):

  φ4 inch X 6片	基板尺寸	< Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片	可選
  	樣品臺(tái)	樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~±90度旋轉(zhuǎn)
  	離子源	20cm 考夫曼離子源
  	均勻性	±5% for 8”Ф
  	硅片 Si 刻蝕率	≥20 nm/min
  	溫度	<100

   

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 組成：

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 組成:

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 蝕刻速率：

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:

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